| 发明名称 | 相联存储器及对其运行的方法 | ||
| 摘要 | 此相联存储器含有若干单元,这些单元仅仅由一个常规PMOS晶体管(T1)的,与一个带有浮栅极的PMOS晶体管(T2)的一种串联电路组成,在此该常规PMOS晶体管的栅极获得输入矢量的一个位信号,并且第二PMOS晶体管的栅极是与一个学输入端相连接的,并且在此,在用于相联存取的第二PMOS晶体管的漏极接口上是可加上一个第二矢量的,并且在读出时,由各电流计值器电路(Ibj,Ibj+1)以列的方式分析流过当时串联电路的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1213144A | 申请公布日期 | 1999.04.07 |
| 申请号 | CN98120797.9 | 申请日期 | 1998.09.28 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | S·容;R·特维斯;A·鲁克;W·维伯 |
| 分类号 | G11C15/00 | 主分类号 | G11C15/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．带有大量同类存储单元(E)的相联存储器，-其中，相联存储器上，一个有关的存储单元仅由一个正规的第一PMOS晶体管(T1)的和一个带有一个浮栅极(FG)的第二PMOS晶体管(T2)的串联电路组成，在此第一PMOS晶体管的一个第一引线端是与一个电源电压(Vdd)相连接的，并且在此，第一PMOS晶体管的一个第二引线端为了相联存储经第二PMOS晶体管与用于输出矢量(Y)位信号的一个有关的引线端(Yj)相连接的，并且为了读取与一个电流计值器(Ibj)相连接，以及-其中，相联存储器上在一个有关的单元中，用于有关输入矢量(X)位信号的一个引线端(Xk)是与当时第一PMOS晶体管的一个栅极(G1)相连接的，并且用于学习信号(LEARN)的一个引线端是与第二PMOS晶体管的一个栅极(G2)相连接的。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||