| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dotierten Schicht (3) in einem aus einem Halbleiter bestehenden Erzeugnis (1) mittels eines Dotierstoffes, wobei die Schicht (3) unter einer Oberfläche (2) des Erzeugnisses (1) vergraben ist. Dazu werden mehrere Löcher (4) ausgehend von der Oberfläche (2) und die Schicht (3) durchquerend eingebracht. In jedem Loch (4) wird eine Wand (5) innerhalb der Schicht (3) mit einer den Dotierstoff enthaltenden Substanz (6) bedeckt und außerhalb der Schicht (3) von der Substanz (6) freigehalten, und anschließend das Erzeugnis (1) mit der Substanz (6) getempert, so daß der Dotierstoff diffundiert und damit die Schicht (3) dotiert. Das Erzeugnis (1) zeigt die Löcher (4) mit der Substanz (6) auf ihren Wänden (5) innerhalb der Schicht (3).</p> |
