| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer metallisierten Schaltungsstruktur zur Verhinderung von Produktpiraterie und Produktmanipulation, ein durch das Verfahren hergestelltes Halbleiter-Bauelement sowie die Verwendung des Halbleiter-Bauelements in einer Chipkarte. Das Verfahren ist mit CMOS-kompatiblen Standard-Halbleitertechnologien durchführbar und erschwert die Anwendung des sogenannten Reverse Engineering zur Aneignung fremden Technologie-Knowhows bzw. zum Auslesen und/oder zur Manipulation der im Bauelement gespeicherten Information. Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es darüber hinaus möglich, ein gegenüber Umwelteinflüssen geschütztes Halbleiter-Bauelement herzustellen. Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Bauelementelage im Substrat (1) bis vor einem Metallisierungskomplex prozessiert. Nachfolgend wird das nun vorliegende Bauelementesubstrat (1) mit einem Handlingsubstrat (6) Vorderseite zu Vorderseite zusammengefügt und das Bauelementesubstrat (1) von der Rückseite her gedünnt. Anschließend werden Kontaktlöcher (9) nach einem entsprechenden Lithographieschritt durch die verbleibende dünne Bauelementesubstratschicht bis auf die zu kontaktierenden Gebiete geätzt und metallisiert, so daß elektrische Kontakte zum Bauelement hergestellt sind.</p> |
