| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de production d'une structure semi-conductrice sur une surface principale d'un substrat (1) comportant plusieurs tranchées (2, 3, 4) auxquelles correspondent des crêtes (5a, 5b, 5c, 5d), des fonds (2a, 3a, 4a) et des parois (2b, 2c, 3b, 3c, 4b, 4c). Le procédé selon l'invention comporte les étapes suivantes: formation d'éléments d'écartement (6a, 6b, 6c, 6d, 6e, 6f) sur les parois de tranchée (2b, 2c, 3b, 3c, 4b, 4c); formation de premières zones de conduction dans des fonds de tranchée définis (2a, 3a, 4a) ou dans les crêtes de tranchée (5a, 5b, 5c, 5d); formation d'un oxyde d'arrêt (8) de telle façon que l'oxyde d'arrêt (8) se forme sur les premières zones de conduction dans les fonds (2a, 3a, 3c) ou les crêtes de tranchée (5a, 5b, 5c, 5d) en présentant une épaisseur de consigne; suppression par gravage des éléments d'écartement (6a, 6b, 6c, 6d, 6e, 6f). Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'on sélectionne l'épaisseur de consigne de telle façon que l'épaisseur de l'oxyde d'arrêt (8') atteint, après la suppression par gravage des éléments d'écartement (6a, 6b, 6c, 6d, 6e, 6f), une valeur prédéfinie sur les premières zones de conduction dans les fonds (2a, 3a, 4a) ou les crêtes de tranchée (5a, 5b, 5c, 5d).</p> |
