首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD FOR FORMING PLATINUM THIN FILM ON SILICON WAFER, SILICON SUBSTRATE USING THE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号 KR0174594(B1) 申请公布日期 1999.04.01
申请号 KR19950040450 申请日期 1995.11.09
申请人 TONG YANG CEMENT CORP. 发明人
分类号 H01L21/285;H01L21/203;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/316;H01L21/3205;H01L41/08;H01L41/09;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com