半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法提供了一个自定位接触孔,其易于抑制一个经过一个对一中间布线层自匹配的自定位接触孔连接于一个下布线层的上布线层与一个中间布线层之间的绝缘特性的恶化。用一个氧化硅膜间隔层直接覆盖一个对一栅极自匹配的位接触孔的侧面,并且回流氧化硅膜和用一BPSG膜间隔层覆盖。利用这些过程,抑制了绝缘特性的恶化。

主权项

1．一种半导体器件，包括：一个形成在一半导体基片表面中或上的下布线层；一个覆盖所述半导体基片表面的绝缘膜；一个形成在所述绝缘膜表面上的中间布线层；一个覆盖所述中间布线层的层间绝缘膜；和一个形成在所述层间绝缘膜表面上的上布线层，所述上布线层穿透所述层间绝缘膜和所述绝缘膜到达所述下布线层，并且经过对所述中间布线层自匹配的一个自定位接触孔连接于所述下布线层，在所述自定位接触孔的侧面上，至少形成一个通过加热回流的BPSG膜或PSG膜构成的绝缘膜间隔层。