ESD protection diode

摘要

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung mit einer Schutzstruktur zum Schutz vor elektrostatischer Entladung, wobei die Schutzstruktur vorzugsweise als vertikale Schutzdiode vorgesehen ist. Die vertikale Schutzdiode kann dabei ohne Veränderung der Prozeßführung zur Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung durch maskierte Diffusion oder maskierte Ionenimplantation durch Veränderung der Querschnittsfläche der Öffnungen der Maskierungsschicht bzw. des Abstandes benachbarter Öffnungen variiert werden. Erfindungswesentlich für die Herstellung einer homogenen Dotierkonzentration im Diffusionsgebiet ist dabei, daß die Abstände benachbarter Öffnungen mindestens kleiner sind als die doppelte Diffusionslänge der eingebrachten Dotieratome. Als ESD-Schutzelement kann auch ein Transistor, insbesondere ein Bipolar-Transistor, ein Thyristor oder ein IGBT verwendet werden. In diesem Fall bildet die vertikale Schutzdiode die Ansteuerdiode dieser Bauelemente. Zusätzlich weist die ESD-Schutzstruktur im Randbereich der Diffusionszone Bereiche verringerter Durchbruchspannung aufgrund einer veringerten Dotierung auf. <IMAGE>