| 发明名称 | 三维只读存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一个将存储元布置在三维空间中的只读存储器。这些存储元分布在多个存储层上。这些存储层相互重叠,一层叠在另一层上。在每个存储层上有多个选址线和存储元。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于存储元布置在三维空间中,存储密度和存储容量可极大提高。三维只读存储器的存取时间短,并且可用标准半导体生产流程制造。本发明可以广泛地应用在很多领域。 | ||
| 申请公布号 | CN1212452A | 申请公布日期 | 1999.03.31 |
| 申请号 | CN98119572.5 | 申请日期 | 1998.09.24 |
| 申请人 | 张国飙 | 发明人 | 张国飙 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种集成电路中的只读存储元，其特征在于具备：含有金属材料的第一电极(501)；含有金属材料的第二电极(503)；以及夹在所述第一和第二电极之间的准导通膜(502)。 | ||
| 地址 | 610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 | ||