| 发明名称 | 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件 | ||
| 摘要 | 一种声表面波器件包括由镧镓硅氧化物单晶制成的压电基片和至少一个叉指式换能器,其中叉指式换能器包括一对相互交错,并和压电基片接触的梳形电极。压电基片具有约为(0°,130°到170°,23°到30°)的欧拉角,由此声表面波器件具有极好的TCD和较大的K<SUP>2</SUP>值。 | ||
| 申请公布号 | CN1212504A | 申请公布日期 | 1999.03.31 |
| 申请号 | CN98118815.X | 申请日期 | 1998.08.27 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 门田道雄;熊取谷诚人 |
| 分类号 | H03H9/25 | 主分类号 | H03H9/25 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1．一种声表面波器件，其特征在于包括：由镧镓硅氧化物单晶制成的压电基片；及至少一个叉指式换能器，所述叉指式换能器包括一对安排得相互交错，并和所述压电基片接触的梳形电极，其中所述压电基片具有约为(0°,130°到170°,23°到30°)的欧拉角。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||