Process for etching a polycristalline Si1-xGex layer or stacked layers of polycristalline Si1-xGex and Si, and application to electronic devices

摘要

Le procédé de gravure d'une couche de Si1-xGex polycristallin ou d'un empilement d'une couche de Si1-xGex polycristallin et d'une couche de Si polycristallin déposé sur un substrat et comportant à sa surface un masque en matériau inorganique, comprend une étape de gravure principale, anisotrope, de ladite couche ou dudit empilement, en utilisant ledit masque, au moyen d'un plasma gazeux haute densité d'un mélange de gaz constitué de chlore (Cl2) et, soit d'azote (N2) ou d'ammoniac (NH3), soit d'un mélange d'azote et d'ammoniac. Application : à la fabrication de structures de grille pour dispositifs CMOS. <IMAGE>