Integrated circuit with a protection structure against electrostatic discharge

摘要

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung mit einer Schutzstruktur zum Schutz vor elektrostatischer Entladung, wobei das Schutzelement mindestens einen integrierten vertikalen Schutztransistor aufweist, dessen Laststrecke zwischen dem Anschlußpad und einer Potentialschiene geschaltet ist. Erfindungsgemäß wird die Basis des vertikalen npn-Bipolartransistors durch eine Diode im Durchbruch angesteuert, wobei deren Durchbruchspannung über der Haltespannung der npn-Bipolartransistoren liegt. Durch geeignete Wahl der Lage des Basiskontaktes, des pn-Überganges der Durchbruchdiode und des Emitters ist eine gezielte Einstellung des Triggerstroms möglich. Dadurch wird eine Variation des Spannungsabfalls in der Basis erreicht, wodurch eine Stromführung möglich wird. Somit kann sowohl die Signalspannnungsanforderung erfüllt werden, als auch eine Optimierung der ESD-Festigkeit erreicht werden. Die Ansteuerempfindlichkeit der Basis läßt sich zudem durch einen integrierten Widerstand, der in der Basiszone angeordnet ist, einstellen.