发明名称 半导体芯片的小型化
摘要 在半导体芯片上形成源极、栅极、漏极和与所述栅极连接的栅母线。半导体芯片上形成的场效应晶体管单元由每个从源极、栅极、漏极延伸的三相邻条组成。源极形成在半导体芯片的外边缘上,从半导体芯片的正面到反面。
申请公布号 CN1212471A 申请公布日期 1999.03.31
申请号 CN98119396.X 申请日期 1998.09.25
申请人 日本电气株式会社 发明人 河野纯子
分类号 H01L29/78;H01L23/12;H01L21/335 主分类号 H01L29/78
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏
主权项 1.一种半导体芯片,包括:源极,从所述半导体芯片的正面到反面形成在所述半导体芯片的外边缘上;栅极;漏极;与所述栅极连接的栅母线;和场效应晶体管单元,由分别从所述源极、所述栅极、和所述漏极伸的三个相邻条构成。
地址 日本东京