MAGNETOTRANSISTOR CON ELEVACIÓN DE LA ß Y DE LA SENSIBILIDAD

摘要

El dispositivo semiconductor sensor magnético de activación ortogonal realizado en forma de un transistor bipolar lateral npn consta de una región de emisor difundida, una región de base no confinada y dos contactos de base, cada uno rodeado por la difusión del colector correspondiente. El flujo de portadores que llega a los colectores varía según la dirección e intensidad del campo magnético aplicado, provocando un desbalance entre las corrientes del colector. La sensibilidad magnética del dispositivo es proporcional al desbalance medido. El mejor aprovechamiento del desbalance aumenta la sensibilidad. La estructura topológica descrita logra este fin conjuntamente con la elevación de la ganancia de corriente Beta del transitor.