| 发明名称 |
Method of fabricating a twin hammer tree shaped capacitor structure for a dram device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG63852(A1) |
申请公布日期 |
1999.03.30 |
| 申请号 |
SG19980001563 |
申请日期 |
1998.06.30 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
LI JIAN-XUN;CHOOI SIMON;YHOU MEI-SHENG |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/311;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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