等离子体处理方法及设备

摘要

一种等离子体处理方法,包括步骤:通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的功率要低的第二高频电源,然后再向该处理室馈送功率比处理过程中高的第一高频电源,以生成等离子体;减小所述第一高频电源的强度,使之接近处理过程中的值,提高所述第二高频电源的强度,也使之接近处理过程中的值,然后再调节所述第一高频电源的强度,以获得预定值的等离子体强度;使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作,同时调节所述第一高频电源的值,以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。

主权项

1、一种利用一第一高频电源和一个频率低于该第一高频电源的第二高频电源进行等离子体处理的方法，该方法包括：放电启动步骤，即通过一阻抗匹配电路向一处理室中馈送比处理过程中的功率要低的所述第二高频电源，然后再向该处理室馈送功率比处理过程中高的所述第一高频电源，以生成等离子体；调节步骤，即减小所述第一高频电源的强度，使之接近处理过程中的值，提高所述第二高频电源的强度，也使之接近处理过程中的值，然后再调节所述第一高频电源的强度，以获得一预定值的等离子体强度；和等离子体处理步骤，即，使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作，同时调节所述第一高频电源的值，以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值，从而对一待处理的基体进行等离子体处理。