NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF,申请号JP19970239582-传众专利搜索

发明名称	NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号	JPH1187539(A)	申请公布日期	1999.03.30
申请号	JP19970239582	申请日期	1997.09.04
申请人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP	发明人	ARAI HAJIME
分类号	H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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