| 发明名称 |
Method for forming a low impurity diffusion polysilicon layer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG63706(A1) |
申请公布日期 |
1999.03.30 |
| 申请号 |
SG19970001412 |
申请日期 |
1997.05.07 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
BALASUBRAMANIAN NARAYANAN;KONG CHING WIN;JANG CHUCK |
| 分类号 |
H01L21/3205;(IPC1-7):H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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