发明名称 Nonvolatile semiconductor memory device reduced in occupy area of memory cell
摘要 A nonvolatile semiconductor memory cell includes four ferroelectric capacitors and six N channel MOS transistors. When data is to be written or read to or from a certain ferroelectric capacitor, corresponding two word lines are activated.
申请公布号 US5889695(A) 申请公布日期 1999.03.30
申请号 US19980045045 申请日期 1998.03.20
申请人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 发明人 KAWAGOE, TOMOYA
分类号 G11C14/00;G11C8/16;G11C11/22;(IPC1-7):G11C11/22 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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