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Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern (1) mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen einer Maskenschicht (4) auf eine Hauptfläche (9) eines Substratwafers (19), Ausbilden einer Mehrzahl von Fenstern (10) in der Maskenschicht (4), in denen die Hauptfläche (9) des Substratwafers (19) freigelegt ist, Abscheiden einer Halbleiterschichtenfolge (18) auf die in den Fenstern (10) freigelegte Hauptfläche (9) und Vereinzeln des derart hergestellten Wafers (24). <IMAGE>
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