半导体器件的制造方法

摘要

通过提高AlGaAs/InGaAs外延界面的陡峭性,增加二维电子气的迁移率,所述外延界面的杂质累积较少,表面载流子浓度不减小,使增加gm、提高fT成为可能。在半导体基片上进行多个化合物半导体结晶层的生长的分子线外延生长方法中,在生长包含In的化合物半导体结晶层后,暂时停止包含As的全部供给,在基片温度上升到In的再蒸发开始温度以上后,生长与所述包含In的化合物半导体不同的半导体结晶层。促进了剩余In的蒸发,在短时间内蒸发剩余In,使生长停止时间变短,降低生长停止中累积的碳量。

主权项

1．一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在半导体基片上进行多个化合物半导体结晶层的生长的分子线外延生长过程中，在生长包含In的化合物半导体结晶层后，暂时停止包含As的全部供给，在基片温度上升到In的再蒸发开始温度以上后，生长与包含In的所述化合物半导体不同的半导体结晶层。