发明名称 | 具有改进磁探测灵敏度的巨磁阻磁传感器 | ||
摘要 | 一种GMR磁传感器,包括一个下电极;一个第一非磁金属层,其形成在下电极上并包括铁磁区;一个第二非磁金属层,在第一非磁金属层上;一个第三非磁金属层,其在第二非磁金属层上,并包括铁磁区;以及一个上电极,其在第三非磁金属层上形成,其中在第一个非磁金属层和第三个非磁金属层之间,进一步放置了一个隧道绝缘薄膜。 | ||
申请公布号 | CN1211784A | 申请公布日期 | 1999.03.24 |
申请号 | CN98106085.4 | 申请日期 | 1998.03.09 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 饭岛诚 |
分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
主权项 | 1.一个巨磁阻磁传感器,包括:一个第一电极;一个第一导电非磁层,在所述第一电极上提供;多个形成在所述第一导电非磁层中的第一铁磁区,其相互隔离;一个第二导电非磁层,在所述第一导电非磁层上提供;一个第三导电非磁层,在所述第二导电非磁层上提供;多个形成在所述第三导电非磁层中的第二铁磁区,其相互隔离;一个第二电极,在所述第三导电非磁层上提供;所述第一导电非磁层和第三导电非磁层相互隔离一段距离,这样引起在第一铁磁区和第二铁磁区的交互作用;以及一个隧道绝缘薄膜放置在所述第一导电非磁层和第三导电非磁层之间; | ||
地址 | 日本神奈川县 |