Device for reducing noise in microwave transistors and method for its fabrication

摘要

Der Anmeldungsgegenstand betrifft eine Anordnung, bei der die minimale Rauschzahl dadurch reduziert wird, daß unterhalb der Basisanschlußfläche eine hoch dotierte vergrabene Schicht (BL') hergestellt wird, die in der Nähe der Basisanschlußfläche über einen Standard-Kollektorkontakt (CC') mit Bezugspotential (GRD) verbunden ist. Vorteilhaft ist hierbei die Senkung der minimalen Rauschzahl ohne zusätzliche Prozeßschritte. <IMAGE>