带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管

摘要

本发明提出了一种新型的单晶体管存储器件,使用铁电材料的极化来存储信息。该器件为浮栅FET,具有铁电材料和电阻,铁电材料置于栅和浮栅之间,电阻最好是由浮栅与晶体管沟道之间的薄SiO₂介质形式。和以前的设计不同,该器件中,浮栅可以容性且阻性耦合到晶体管沟道,所以可以低电压读写该器件。由于器件可耐久性取决于铁电材料的持久性而不是氧化物的击穿,该器件明显的优点是:低工作电压,高速度,重复次数超过10¹⁰次,且集成度达吉比特的密度。

主权项

1．一种场效应晶体管，包括：形成在半导体材料中的源区和漏区；置于所说源区和漏区之间的沟道区；置于所说沟道区上的电绝缘材料的绝缘层；置于所说绝缘层上的导电材料的浮栅层；置于所说浮栅层上的不导电铁电材料层；所说铁电材料层上的栅极；及将所说浮栅层阻性耦合到至少源区、漏区、和沟道区中的一个上的电阻。