| 发明名称 |
SUPPLY VOLTAGE DIVIDING CIRCUIT FREE FROM PARASITIC CAPACITANCE IN THE SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0176165(B1) |
申请公布日期 |
1999.03.20 |
| 申请号 |
KR19950039034 |
申请日期 |
1995.10.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
JUNG, DAE-SUK |
| 分类号 |
H01L27/02;(IPC1-7):H01L27/02 |
主分类号 |
H01L27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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