晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法

摘要

本发明属Ⅲ型陶瓷电容器生产中关键工艺之一的半导化烧结及处理方法,其特征是采用高温和触媒作用下得到的氨分解产物一氮氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为半导化烧结所需的还原气氛;并在窑炉进出口端形成火帘密封,防止空气进入窑炉,从而使半导化烧结工艺中所用气体的成本下降到仅为原来的13.6%。采用本发明既降低了生产的总成本,又提高了生产的安全性,特别对规模化生产意义更加重大。

主权项

1．晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法其特征是采用高温和触媒作用得到的氨分解产物-氮、氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为Ⅲ型陶瓷电容器生产中半导化烧结或半导化热处理所需的还原气氛，具体方法为：将市售液氨瓶(1)中的高压氨气(NH3)经市售减压阀(2)后送至氨分解装置(3)的电热容器中，当温度在650℃左右，在触媒作用下氨分解成氮气和氢气的混合气体，这混合气体经过溢气装置(4)后引入窑炉(5)，使窑炉内的瓷片(6)处于氮氢混合还原气氛进行导化烧结或热处理，并在窑炉(5)的进出气口端用明火点燃形成火帘密封，其氮氢混合气体的流量大小以窑炉(5)能正常自动点燃明火为准，其窑炉(5)的温度对晶界层陶瓷电容器的半导化烧结温度为1380℃～1480℃，时间为1～3h；对表面层陶瓷电容器半导化热处理的温度为1050℃～1150℃，时间为1～2h，在氮氢混合还原气氛中将半导化瓷片冷却至100℃以下，即可出炉完成瓷片半导化工艺。