防止器件出现化学机械抛光诱发缺陷的方法

摘要

一种防止设在台面的衬垫氮化物下面的基片受化学机械抛光诱发的损坏的方法,其利用化学机械抛光使多晶硅层平面化,直至它向下到达至少介电层的表面,以暴露介电层的一第一区域;用第一蚀刻参数部分蚀刻介电层的第一区域,第一蚀刻参数包括一蚀刻剂源气体,它基本上对衬垫氮化物层具有选择性,以保证即使存在化学机械抛光缺陷,衬垫氮化物层也不会被蚀刻掉;在部分蚀刻介电层的第一区域以后,除去多晶硅层。

主权项

1．一种防止设在台面的衬垫氮化物下面的基片受化学机械抛光诱发的损坏的方法，所述衬垫氮化物设置在一保形沉积的介电层下面，所述介电层设置在一保形沉积的多晶硅层下面，所述方法包括：利用所述化学机械抛光使所述多晶硅层平面化，直至它向下到达至少所述介电层的表面，以暴露所述介电层的一第一区域；用第一蚀刻参数部分蚀刻所述介电层的所述第一区域，所述第一蚀刻参数包括一蚀刻剂源气体，它基本上对所述衬垫氮化物层具有选择性，以保证既使存在化学机械抛光缺陷，所述衬垫氮化物层也不会被蚀刻掉；在部分蚀刻所述介电层的所述第一区域以后，除去所述多晶硅层。