半导体器件制造方法

摘要

本发明制造半导体器件的方法基本包括以下步骤:(a)在半导体衬底上第一区中形成有固定栅极间距的大量第一晶体管,并在半导体衬底上第二区中形成有宽于第一晶体管的栅极间距的栅极间距大量第二晶体管;(b)用固定厚度的绝缘膜覆盖第一区和第二区的整个表面,及(c)通过腐蚀整个绝缘膜,在第一晶体管的栅极间形成由该绝缘膜构成的掩埋层,并在第二晶体管的栅极上形成由该绝缘膜构成的侧壁。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底上第一区内形成有固定栅极间距的大量第一晶体管，并在所说半导体衬底上第二区内形成具有大于所说第一晶体管的所说间距的第二栅极间距的大量第二晶体管；(b)用固定膜厚的绝缘膜覆盖第一和第二区的整个表面；及(c)腐蚀该整个绝缘膜，由此形成所述第一晶体管的栅极间的由所述绝缘膜构成的掩埋层，并在所述第二晶体管的栅极上形成由所说绝缘膜构成的侧壁。