半导体发光器件

摘要

本发明之目的在于提供具备耐湿性好、输出光强的半导体发光器件。所述半导体发光器件由在出光面一侧设有含Ａｌ的结晶层１５作为该半导体发光器件发光层的InGaAlP系混晶层12、13、14、15以及在结晶层１５上淀积的含Ａｌ的克分子比不足５０％或不含Ａｌ的－Ⅲ－Ⅴ族结晶层１６所构成。该含Ａl的克分子比不足５０％或不含Ａｌ的Ⅲ－Ⅴ族结晶层１６是用有机金属气相淀积法，同其它各层连续形成的。

主权项

1．一种半导体发光器件，包括：一由一种Ⅲ-Ⅴ族化合物构成的衬底、一由In0.5(Ga1-xAlx)0.5P构成的有源层和一由Ga1-yAlyAs构成的电流扩散层，其特征在于还包括：一形成在所述电流扩散层的发光面上的导电性结晶层，所述导电性结晶层所含的铝克分子比小于等于50％，该电流扩散层形成在所述有源层之上，其含铝的克分子比大于等于60％；以及所述导电性结晶层完全覆盖住所述高铝结晶层的发光面。