| 主权项 |
1﹒在烃之触媒转化方法中,其中一种烃进料乃于转化条件下与一种含有在耐火支持物上所包含之铱成份之触媒相接触,且此触媒在与所述进料接触时由于碳之残留物沉积于触媒上,已至少部份地减低活性者,用以使该触媒再生之一种方法,包括:(1)在与上述烃进料接触后但在大于约华氏七七五度之一温度与氧接触前,使该含碳残留物之触媒与一种含氯试剂相接触,此试剂之用量以无水无碳残留物之触媒为准,须足以使触媒之氯含量增加至0﹒八至二﹒0之重量百份比,(2)将上述经处理之含碳残留物触媒在最大温度自约华氏七七五度至九00度下与实质上无﹒硫及无卤素之含氧气体混合物相接触,其接触时间须足以烧去至少一部分来自所述触媒之碳残留物;及(3)将来自上述步骤(2)之碳残留物已耗乏之触媒;于超过约华氏九00度之温度下,及与一种含氧气体接触之前,在烃转化条件下与上述烃进料相接触者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中,上述含氯试剂乃自包括氯,氯化氢及其混合物之该组中选出者。3﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中,上述经处理之触媒与该含氧气体混合物之接触乃在自约华氏八00度至八五0度间变动之最高温度下进行者。4﹒在一种粗挥发油进料之触媒转化方法中,其中,上述粗挥发油进料及氢系在重整条件下与一﹒种触媒相接触,此触媒乃包含有在一耐火支持物上所包含之一种铱成份与一种氯成份,及此触媒在与上述粗挥发油进料接触期间;由于碳残留物沉积其上已至少部份地减低活性者,用以使该触媒再生之一种方法,包括:(1)在与上述粗挥发油进料接触之后但在高于约华氏七七五度之温度时与氧接触之前,使该含碳残留物触媒与一种含氯之试剂相接触,此试剂之用量以无水无碳残留物之触媒为准,须足以使触媒之氯含量增加至0﹒八至一﹒五重量百分比;(2)将上述经处理之含碳残留物触媒在自约华氏七七五度至九00度间变动之最高温度时;与实质上无硫及无卤素之含氧气体混合物相接触,其接触时间须足以烧去至少一部份来自所述触媒之碳残留物;及(3)使来自上述步骤(2)之碳残留物已耗乏之触媒,于超过华氏九00度之温度下及与含氧气体接触之前,在重整条件下与上述粗挥发油进料相接触者。5﹒根据上述请求专利部份第4项之方法,在其中,上述触媒乃包括含于一耐火无机氧化支持物上之自0﹒一至一0重量百分比之铱及0﹒一至一﹒0重量百分比之铂者。6﹒根第上述请求专利部份第4项之方法,在其中,上述经处理之触媒与含氧气体混合物之接触,系在华氏八00至八五0度之最高温度下进行者。7﹒根据上述请求专利部份第4项之方法,在其中;上述触媒之氯含量以无水无碳残留物之触媒为准系增加至自一﹒0至一﹒五重量百分比者。8﹒根据上述请求专利部份第7项之方法,在其中,上述经处理之触媒与该含氧气体混合物之接触系在约华氏八00度至八五0度间变动之最高温度下进行者。9﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,在其中,上述触媒包括含于一耐火无机氧化支持物上,之0﹒0一至三﹒0重量百分比之铱者。10﹒在一种粗挥发油进料之触媒转化方法中,其中,上述粗挥发油进料及氢系在重整条件下与一种触媒接触,此触媒乃含有一耐火无机氧化支持物上所包含之自0﹒0一至三﹒0重量百分比之铱及氯成份,此触媒在与上述粗挥发油进料接触期间,由于碳残留物沉积于其上已至少部份地减低活性者;用以使该触媒再生之一种方法,包括:(1)在与上述粗挥发油进料接触期间,使该含碳残留物之触媒与一种含氯试剂相接触,此试剂之用量以无水无碳残留物触媒为准,须足以使触媒之氯含量增加至约0﹒八至二﹒0重量百分比;(2)将以无水无碳残留物触媒为准,含有的0﹒八至二﹒0重量百分比之氯:且为含碳残留物所污染之触媒;在约华氏七七五度至九0﹒0度之最高温度下与实质上无硫无卤素之含氧气体混合物接触,其接触期间须足以燃烧去至少一部份来自所述触媒之碳残留物;及﹒(3)使来自上述步骤(2)之碳残留物已耦乏之触媒,于超过约华氏九00度之温度下,及与含氧气体接触之前,在重整条件下与上述粗挥发油进料及氢相接触者。11﹒根据上述请求专利部份第10项之方法,在其中﹒,上述经处理之触媒与含氧气体混合物之接触系在自约华氏八00度至八五0度间变动之最高温度下进行者。12﹒根据上述请求专利部份第10项之方法,在其中,上述触媒之氯含量以无水无碳残留物触媒为准乃系被增加至自约一﹒0至一﹒五重量之百分比者。13﹒根据上述请求专利部份第12项之方法,在其中,上述经处理之触媒与含氧气体混合物之接触系在自约华氏八00度至八五0度间变动之最高温度下进行者。14﹒在一种粗挥发油进料之触媒转化方法中,上述粗挥发油进料及氢系在重整条件下与一种触媒﹒相接触,此触媒乃含有一耐火无机氧化支持物上所包含之自0﹒0一至三﹒0重量百分比之铱及氯成份,此触媒在与上述粗挥发油进料接触期间由于碳残留物沉积于其上已至少部份地减低活性者;用以使该触媒再生之一种方法乃包括;(1)于上述粗挥发油进料不存在但在高于华氏七七五度之温度下与氧接触之前,使该含碳残留物之创媒与一种含氯试剂相接触,此试剂之用量以无水无碳残留物触媒为准,须足以使触媒之氯含量增加至约0﹒八至二﹒0重量百分比;(2)将以无水无碳残留物触媒为准含有约0﹒八至二﹒0重量百分比之氯,且被含碳残留物所染污之触媒,在约华氏七七五度至九00度之最高温度下与实质上伙硫无卤素之含氧气体混合物接触,其接触时间须足以烧去至少一部份来自所述触媒之碳残留物;及(3)将来自上述步骤(2)之碳残留物已耗乏之触媒,于超过约华氏九00度之温度下,及与含氧气体接触前,在重整条件下与上述粗挥发油进料及氢相接触者。15﹒根据上述请求专利部份第14项之方法,在其中:上述经处理之触媒与含氧气体混合物之接触系在自约华氏八00度至八五0度变动之最高温度下进行者。16﹒根据上述请求专利部份第14项之方法,在其中,上述触媒之氯含量以无水无碳残留物触媒为准被增加至自约一﹒0至一﹒五重量百分比者。17﹒根据上述请求专利部份第16项之方法,在其中,上述经处理之触媒与含氧气体混合物之接触系在自约华氏八00度至八五O度最高温度下进行者。 |
