| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING MOS DEVICE BY USING COBALT SILICIDE CONTACT AS IMPLANTING MEDIUM IN INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH1174510(A) |
申请公布日期 |
1999.03.16 |
| 申请号 |
JP19980194427 |
申请日期 |
1998.07.09 |
| 申请人 |
LSI LOGIC CORP |
发明人 |
TSAI JIUNN-YANN;WANG ZHIHAI;KU YEN-HUI JOSEPH |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/225;H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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