| 发明名称 |
Non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IL125604(D0) |
申请公布日期 |
1999.03.12 |
| 申请号 |
IL19980125604 |
申请日期 |
1998.07.30 |
| 申请人 |
SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;H01L21/28;H01L29/792;(IPC1-7):G11C |
主分类号 |
G11C16/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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