| 主权项 |
1.一种活性离子蚀刻法之蚀刻源,包括CHF3与BCl3之混合气体。2.一种使用如申请专利范围1项所述之蚀刻源的活性离子蚀刻法。3.如申请专利范围2项所述之活性离子蚀刻法,其中CHF3与BCl3的流量比为12:8。4.一种使用如申请专利范围第2或3项所述之活性离子蚀刻法来制作高速场效电晶体之闸极的方法。5.如申请专利范围4项所述之方法,其中上述之高速场效电晶体为MESFET,HEMT,或DCFET。图式简单说明:第一图显示本发明之蚀刻气体与半导体材料反应的蚀刻机制。第二图为本发明之蚀刻气体流量与蚀刻速率的关系图。第三图a及第三图b为GaAs表面分别被CHF3/BCl3与CF4/BCl3两种混合气体蚀刻后的AFM图。第四图为蚀刻表面片电阻Rsh随RF功率变化的关系图。第五图为本发明一实施例与比较例之临限电压均匀度的比较图。第六图为经CHF3/BCl3及CF4/BCl3混合气体闸极蚀刻后元件之最小杂讯NFmin及伴随增益Gass随频率变化的比较图。 |
