| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen DMOS-Transistor mit großer Kanalweite und hoher Avalanche-Festigkeit. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement (1) mit mehreren parallel geschalteten vertikalen, durch Feldeffekt gesteuerten Zellen (3, 4) auf einem Halbleitersubstrat (2), wobei die Gate-Elektrode (6) jeder Zelle (3, 4) in einem Graben (5) in dem Halbleitersubstrat (2) verläuft und ein Kanal (13) in einer an das Gate angrenzenden Halbleiterschicht (10) ausgebildet wird, ist dadurch gekennzeichnet, daß bei einem ersten Anteil der Zellen (3) die Halbleiterschicht (10) im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrats (2) verlaufende ebene Grenzflächen aufweist und bei einem zweiten Anteil der Zellen (4) die Halbleiterschicht (10) mindestens einen Ausdehnungsbereich (11) aufweist, der sich tiefer als der Graben (5) in das Halbleitersubstrat (2) ausdehnt.</p> |
