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发明名称
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Isolationszone und einer Wanne
摘要
申请公布号
DE68928780(T2)
申请公布日期
1999.03.11
申请号
DE19896028780T
申请日期
1989.05.23
申请人
SEIKO EPSON CORP., TOKIO/TOKYO, JP
发明人
NAMOSE, ISAMU, SUWA-SHI NAGANO-KEN, JP
分类号
H01L21/316;H01L21/762;H01L21/8232;(IPC1-7):H01L21/762;H01L21/823
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
主权项
地址
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