发明名称 卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法
摘要 一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,为一种于压合有单面铜的聚酰亚胺膜(POLYIMIDE)表层进行定义形成第一干膜、电镀铜/镍/金/镍(或镍/金、铜/镍)、去除第一干膜、聚酰亚胺膜蚀刻形成孔洞,孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻薄铜及剥镍、激光钻孔形成芯片安装孔及外围贯孔,藉此使外接接点更具细微效果以及仅需单点焊接方式焊接芯片而可缩小封装面积。
申请公布号 CN1210363A 申请公布日期 1999.03.10
申请号 CN97117545.4 申请日期 1997.08.28
申请人 华通电脑股份有限公司 发明人 蔡维人
分类号 H01L21/50;H01L21/98 主分类号 H01L21/50
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 章蔚强
主权项 1.一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,其特征在于包括下列步骤:取用含有单面薄铜的聚酰亚胺膜为基材;对基材上表面进行第一干膜的压合、曝光和显影;在第一干膜未覆盖的上表面处依序进行电镀铜、电镀镍、电镀金以及电镀镍等多层电镀;去除第一干膜;对基材的聚酰亚胺膜部位进行激光蚀刻,利用薄铜的阻挡以及激光能量的控制,以形成未贯通的孔洞图形;在基材上表面压合第二干膜,以保护上表面电镀层;在聚酰亚胺膜的各孔洞实施电解电镀而形成填满各孔洞及略外突的电解电镀接点;去除第二干膜;蚀刻位在介于各个多层电镀层之间呈外露的薄铜,而使相邻电镀层相互隔开,以及蚀刻去除位在多层电镀层表面的电镀镍层,而使电镀金层外露;及对基材中央及需形成贯通的部位进行激光钻孔,以分别形成基材中央的芯片安装孔及外围的激光贯孔,以使芯片安装孔部位外围形成由多层电镀层所形成的接触悬臂,可供焊接结合芯片。
地址 中国台湾