| 发明名称 |
MOS transistor adopting titanium-carbon-nitride gate electrode and manufacturing method thereof |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2299452(B) |
申请公布日期 |
1999.03.10 |
| 申请号 |
GB19960006719 |
申请日期 |
1996.03.29 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
SUK-HO * JOO;CHOONG-RYUL * PAIK;KI-HONG * LEE |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/43 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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