动态随机存取存储器单元电容器及其制造方法

摘要

DRAM单元电容器,在电容器下电极上形成HSG层,以便增加电容器的电容量。电容器下电极在其上边缘具有斜角形,HSG硅层不形成在电容器下电极的上边缘上。一种制造该DRAM单元电容器的方法,包括:使光刻胶图形作掩模腐蚀导电层的上部分,同时在光刻胶图形两侧壁上形成聚合物,以腐蚀其上部分,从而使导电层的上边缘成斜角形。用光刻胶图形和聚合物的组合用掩模,腐蚀导电层的剩余部分,直到暴露层间绝缘层的上表面为止,由此形成电容器下电极。

主权项

1．一种制造DRAM单元电容器的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成场氧化层，以确定有源区和无源区；在有源区上形成焊盘电极；在包括场氧化层的焊盘电极上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层中具有位线；选择腐蚀层间绝缘层，直到暴露一部分焊盘电极为止，由此形成接触孔；在层间绝缘层上形成导电层，填满接触孔；在导电层上形成光刻胶图形，以确定电容器下电极；用光刻胶图形作掩模，腐蚀导电层的上部分，同时，在光刻胶图形的两侧壁上形成聚合物，以腐蚀其上部分，从而使导电层的上边缘成斜角形；用光刻胶图形和聚合物的组合作掩模，腐蚀导电层的剩余部分，直到暴露层间绝缘层的上表面为止，从而形成电容器下电极；去掉光刻胶图形和聚合物；在电容器下电极上形成HSG硅层，从而使电容器下电极具有粗糙表面，所述HSG硅层没有形成在导电层的上边缘上；在电容器下电极上形成电容器电介质层；在电容器电介质层上形成电容器上电极。