DMOSFET with a resistance for improving the reverse bias conduction,申请号EP19940117694-传众专利搜索

发明名称	DMOSFET with a resistance for improving the reverse bias conduction
摘要
申请公布号	EP0656661(B1)	申请公布日期	1999.03.10
申请号	EP19940117694	申请日期	1994.11.09
申请人	DENSO CORPORATION	发明人	TOKURA, NORIHITO;HARA, KUNIHIKO;MIYAJIMA, TAKESHI
分类号	H01L29/10;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L29/10
代理机构		代理人
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