| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,其中该基底上已形成有一蚀刻阻挡层;定义该基底以在该基底上形成一沟渠;形成一绝缘层填充在该沟渠内并覆盖该基底;去除部份该绝缘层以暴露出该基底之表面;以及以化学气相沈积法形成一介电层于该基底与该绝缘层上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中定义该基底以在该基底上形成一沟渠的步骤,更进一步包括下列步骤:形成一光阻层于该基底之该蚀刻阻挡层上;罩幕定义去除部份该蚀刻阻挡层与部份该基底该基底,以形成该沟渠于该基底中;以及去除该光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻阻挡层系为一氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层系为一氧化物。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中更进一步在形成该绝缘层后进行一紧密步骤。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该紧密步骤系加热该绝缘层。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该绝缘层系以一常压化学气相沈积法形成。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该绝缘层系以四乙基正矽酸盐做为一反应气体源。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除部份该绝缘层的步骤系以一化学机械研磨法进行。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系为一氧化物。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系为氮氧化矽。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系为氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更进一步的于形成该介电层后进行下列步骤:进行离子植入以在该基底中形成一井;以及去除该介电层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中去除该介电层的步骤系以氢氟酸溶液进行。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中去除该介电层的步骤系以磷酸进行。16.一种浅沟渠隔离的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;形成一氮化矽层于该基底上;形成一光阻层于该氮化矽层上;罩幕定义,去除部份该氮化矽层与部份该基底,藉以在该基底内形成一沟渠;去除该光阻层;形成一绝缘层填充在该沟渠内并覆盖该氮化矽层;去除部份该绝缘层以暴露出该氮化矽层之表面;以一化学气相沈积法形成一介电层于该氮化矽层与该绝缘层上;对该基底进行离子植入;以及去除该介电层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该绝缘层系以一氧化物组成。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中去除部份该绝缘层系以一化学机械研磨法进行。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该介电层系以一氧化物组成。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中去除该介电层的方法系以氢氟酸溶液进行。21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该介电层系以氮氧化矽组成。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中去除该介电层的方法系以磷酸溶液进行。23.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该介电层以氮化矽组成。图式简单说明:第一图A至第一图E为习知的一种浅沟渠隔离的制造流程图;以及第二图A至第二图E绘示依照本发明一较佳实施例的一种避免颈结效应之浅沟渠隔离的制造流程简示图。 |
