| 主权项 |
1.一种CVD装置的加热装置,系针对于藉由反应气体供给装置,对于设置在反应容器内之基板保持装置上面的基板供应反应气体,而于上述基板的上面进行成膜作业,同时将配置在上述基板的外周缘附近之包含有环状部的遮蔽机构,予以设置在上述基板固定装置的周围,而来形成清除气体供给路径,当在进行成膜作业时,经由上述清除气体供给路径,从上述基板与上述环状部之间的间隙中排放出清除气体之CVD装置,其特征为:在上述清除气体供给路径内接近上述基板保持装置的地方,以不接触上述基板保持装置的形态来配置发热体。2.如申请专利范围第1项之CVD装置的加热装置,其中上述发热体为陶瓷加热器,此陶瓷加热器系被固定于设置在上述反应容器的壁部之至少有3个陶瓷制支撑部的上面。3.如申请专利范围第2项之CVD装置的加热装置,其中上述陶瓷加热器为平板形状,其发热面系以面对上述基板保持装置的底面之方式来配置。4.如申请专利范围第2项之CVD装置的加热装置,其中在上述陶瓷加热器的配线端子上设置有保护盖。5.如申请专利范围第3项之CVD装置的加热装置,其中上述陶瓷加热器的发热面,系至少被分割为两个区域来个别地予以控制温度。6.如申请专利范围第5项之CVD装置的加热装置,其中上述发热面的区域;系由内侧区域,中间区域,及外侧区域所构成者。7.如申请专利范围第4项之CVD装置的加热装置,其中上述配线端子系使用高融点金属来制作。8.如申请专利范围第2项之CVD装置的加热装置,其中在上述陶瓷加热器的背面位置设置有反射装置。9.如申请专利范围第1项之CVD装置的加热装置,其中上述发热体为平板状构件。图式简单说明:第一图系表示本发明之具备有加热装置的CVD装置之概略构成的纵断面图。第二图系表示陶瓷加热器之平面图。第三图系表示根据本发明实施例之陶瓷加热器之各区域的控制信号値与电力之间的关系图。第四图系表示根据本发明实施例之陶瓷加热器之各区域的控制信号値与电流之间的关系图。第五图系表示根据本发明实施例之陶瓷加热器之各区域的控制信号値与电压之间的关系图。第六图系表示习知CVD装置之加热装置的纵断面图。 |
