| 主权项 |
1.一种ECR电浆CVD「PlasmaCVD」之半导体处理装置,其特征为具备:微波以及电浆原料气体被导入之电浆产生室,包围电浆产生室,而且,在电浆产生室内形成与微波之电子回旋谐振器共振之磁场之激磁电磁线圈,与电浆产生室相互连通而设置,而且,反应性气体被导入之电浆反应室,设置在电浆反应室内,保持被处理物之保持装置,与电浆反应室连通而设置,开度可以控制自如之泄漏式阀门,连接在泄漏式阀门之后段之高真空泵浦,供给电浆反应室清洁气体之清洁气体供给装置以及被连结在高真空泵浦之后段之补助泵浦者。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中之高真空泵浦系具有1000-3000l/sec之排气量,以及10-6-10-8mTorr之到达真空压力者。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中之高真空泵浦系为涡轮分子泵浦者。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中之补助泵浦为20-80l/sec之排气量,以及1-5mTorr之到达真空压者。5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中之补助泵浦为乾式泵浦者。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中之泄漏式阀门为蝶形阀者。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中之蝶形阀的挡叶,以水平为基准,实质可以旋转180度者。8.如申请专利范围第1项所述之装置,其中之泄漏式阀门以及高真空泵浦系分别2对设置者,而且,2对之泄漏式阀门以及高真空泵浦系以电浆反应室之中心为中心轴而配置在对称位置者。9.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,再者具有配置于高真空泵浦与补助泵浦之间之调节阀者。10.一种ECR电浆CVD「PlasmaCVD」之半导体处理装置之清洁方法,具备:微波以及等离子原料气体被导入之电浆产生室,包围电浆产生室,而且,在电浆产生室内形成与微波之电子回旋谐振器共振之磁场之激磁电磁线圈,与电浆产生室相互连通而设置,而且,反应性气体被导入之电浆反应室,设置在电浆反应室内,保持被处理物之保持装置,与电浆反应室连通而设置,开度可以控制自如之泄漏式阀门,连接在泄漏式阀门之后段之高真空泵浦,以及被连接在高真空泵浦之后段之补助泵浦,具有:于高真空泵浦以及补助泵浦动作状态下,使泄漏式阀门使闭状态,将电浆反应室内设定为低真空气氛之工程,以及供给清洁气体给低真空气氛之电浆反应室内,使产生电浆以去除堆积在电浆反应室以及泄漏式阀门之被膜之工程。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中之低真空气氛为0.1-2Torr之范围内者。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中之泄漏式阀门为蝶形阀者。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中之蝶形阀之挡叶,以水平为基准,实质可以180度旋转,必要时,可以使挡叶之一边之面向着电浆反应室的方向,以关闭蝶形阀者。图式简单说明:第一图A以及第一图B系分别表示以往之ECR电浆CVD装置之概略图者。第二图系表示本发明之ECR电浆CVD「Plasma CVD」装置之一例之概略图者。第三图系表示示于F1G.2中之ECR电浆CVD装置之蝶形阀之断面图者。 |
