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发明名称 Mit allen Funktionen ausgestattete hochintegrierte EEPROM-Zelle mit Poly-Tunnel-Zwischenstück und Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号 DE69319384(T2) 申请公布日期 1999.02.25
申请号 DE19936019384T 申请日期 1993.05.17
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 BERGEMONT, ALBERT, SAN JOSE CALIFORNIA 95129, US
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/82 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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