GAS DISTRIBUTION SYSTEM FOR A PROCESS REACTOR AND METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

摘要

Es wird ein Gasleitungssystem (30) für einen Prozessreaktor (10) beschrieben, der beispielsweise ein Vertikalofen zur Abscheidung einer As-dotierten SiO2-Schicht auf Wafern sein kann. Das Gasleitungssystem (30) weist erfindungsgemäss einen TEAS-Bubbler (31) auf, der eingangsseitig mit einer Trägergasquelle verbunden ist und der ausgangsseitig über wenigstens eine beheizte Leitung (34, 35) am Prozessreaktor (10) angeordnet ist. Weiterhin ist ein TEOS-Verdampfer (32) vorgesehen, der eingangsseitig mit einer Gasquelle verbunden ist und der ausgangsseitig über wenigstens eine beheizte Leitung (36, 37) am Prozessreaktor (10) angeordnet ist. Weiterhin werden ein Vertikalofen sowie ein Verfahren zur Abscheidung einer As-dotierten SiO2-Schicht auf Wafern beschrieben, wobei jeweils ein erfindungsgemässes Gasleitungssystem zum Einsatz kommt.