Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的制备方法

摘要

一种在诸如激光二极管的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件中重复制备具有较低堆垛层错密度的GaAs/ZnSe和其它Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的方法。该方法包括提供至少包括Ⅲ族元素源(68,170)、Ⅱ族元素源(72,92’)、Ⅴ族元素源(70,172)和Ⅵ族元素源(74,98’)的分子束外延(MBE)系统(50,150)。把具有其上待制介面的Ⅲ－Ⅴ族半导体表面的半导体衬底(12)定位在MBE系统(50,150)中。然后,将衬底(12)加热到适合Ⅲ－Ⅴ族半导体生长的温度,并在衬底的Ⅲ－Ⅴ半导体表面上生长晶状Ⅲ－Ⅴ族半导体缓冲层。然后,将半导体衬底的温度调节到适合Ⅱ－Ⅵ族半导体生长的温度,并通过交替束外延在Ⅲ－Ⅴ族缓冲层上生长晶状Ⅱ－Ⅵ族半导体缓冲层。操作Ⅱ族源和Ⅵ族源,使Ⅲ－Ⅴ族缓冲层暴露于Ⅵ族元素束流之前暴露于Ⅱ族元素束流。

主权项

1.一种制备III-V/II-VI族半导体界面的方法，其特征在于包括：提供一个至少包括下列元素源的分子束外延(MBE)系统：III族元素源；II族元素源；V族元素源；VI族元素源；提供具有III-V族半导体表面的半导体衬底，在该表面上将制备所述的界面，并将所述衬底定位在所述MBE系统中；将所述半导体衬底加热到适合III-V族半导体生长的温度，并在所述衬底的所述III-V半导体表面上生长晶状III-V半族导体缓冲层；生长所述III-V缓冲层后，将所述半导体衬底的温度调节到适合II-VI族半导体生长的温度，通过交替分子束外延在III-V族缓冲层上生长晶状II-VI族半导体缓冲层，它包括操作II族源和VI族源，使III-V缓冲层在暴露于VI族元素束流并生长VI族元素层之前先暴露于II族元素束流并生长II族元素层。