减少了衬底缺陷的CMOS集成电路

摘要

一种用来在制造过程中减少硅衬底中硅缺陷形成的互补金属氧化物(CMOS)集成电路。硅缺陷以间隙原子的形式形成于硅衬底中。该CMOS集成电路包括形成在硅衬底内的深注入区。还包括至少一个形成在硅衬底中的垂直沟槽。这样形成的沟槽,使得至少部分沟槽穿透到硅衬底的深注入区,以在深注入区中形成垂直表面,由此使硅间隙原子在垂直表面复合。

主权项

1．一种在制造互补金属氧化物(CMOS)集成电路过程中减少硅衬底中硅缺陷形成的方法，形成的硅缺陷以间隙原子的形式存在于硅衬底中，该方法包含：将硅衬底设置在衬底处理室中，其中硅衬底有深注入区；在硅衬底中形成多个垂直沟槽，至少部分垂直沟槽穿透进硅衬底的深注入区，以在深注入区中形成垂直表面，由此使硅间隙原子在垂直表面复合。