| 发明名称 |
Process for manufacture of a p-channel mos gated device with base implant through the contact window |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG60150(A1) |
申请公布日期 |
1999.02.22 |
| 申请号 |
SG19970004030 |
申请日期 |
1997.11.12 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
KINZER, DANIEL, M. |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/223;H01L21/3065;H01L21/331;H01L21/332;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/749;H01L29/78;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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