| 主权项 |
1.一种包含以具有[YaGdbSmcTbd]2O3组合物之稀土金属所组成之混合结晶氧化物之半导体陶瓷之热阻器,其中0≦a≦0.9950≦b≦0.9950≦c≦0.9950.01≦d≦0.995,且a>0若b=0,或b>0若a=0。2.根据申请专利范围第1项之热阻器,其特征为混合结晶氧化物系具有C-M2O3-型之立方晶体结构。3.根据申请专利范围第2项之热阻器,其特征为混合结晶氧化物系进一步的以钕、铕、钆、镝、钬、铒、铥、镱及镏所形成族群中之一元素掺杂。4.根据申请专利范围第1项之热阻器,其特征为0.5≦a≦0.99b=0c=00.01≦d≦0.5。5.根据申请专利范围第1项之热阻器,其特征为0.65≦a≦0.75b=0c=00.25≦d≦0.35。6.根据申请专利范围第1项之热阻器,其特征为a=00.1≦b≦0.7c=00.3≦d≦0.9。7.根据申请专利范围第1项之热阻器,其特征为0≦a≦0.30b=00.2≦c≦0.50.2≦d≦0.6。8.一种具有[YaGdbSmcTbd]2O3组合物之混合结晶氧化物之半导体陶瓷,其中0≦a≦0.9950≦b≦0.9950≦c≦0.9950.01≦d≦0.995,且a>0,若b=0或b>0,若a=0。9.根据申请专利范围第8项之半导体陶瓷,其特征为混合结晶氧化物系具有C-M2O3-型之立方晶体结构。10.根据申请专利范围第9项之半导体陶瓷,其特征为混合结晶氧化物系进一步的以钕、铕、钆、镝、钬、铒、铥、镱及镏所形成族群中之一元素掺杂。图式简单说明:第一图示出钇-铽-氧化物混合晶体之半导体陶瓷之阿瑞尼士曲线。第二图示出钇-钐-铽-氧化物混合晶体之半导体陶瓷之阿瑞尼士曲线。第三图示出钆-铽-氧化物混合晶体之半导体陶瓷之阿瑞尼士曲线,其乃与示于第一图及第二图中之阿瑞尼士曲线互相比较。 |
