发明名称 Halbleiter-Kontaktöffnungsstruktur und -verfahren
摘要
申请公布号 DE69321149(T2) 申请公布日期 1999.02.18
申请号 DE1993621149T 申请日期 1993.01.29
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC., CARROLLTON, TEX., US 发明人 SHUNG LIN, YIH, DENTON COUNTY, TEXAS 75010, US;TSENG LU, LUN, DALLAS COUNTY, TEXAS 75051, US;TAI LIOU, FU, DENTON COUNTY, TEXAS 75010, US;CHIA WEI, CHE, COLLIN COUNTY, TEXAS 75093, US;WALTERS, JOHN LEONARD, DENTON COUNTY, TEXAS 75007, US
分类号 H01L21/28;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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