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发明名称 FABRICATION METHOD FOR BURRIED SEMICONDUCTOR LASER
摘要
申请公布号 KR0161064(B1) 申请公布日期 1999.02.18
申请号 KR19940035489 申请日期 1994.12.21
申请人 KOREA TELECOM CORP.;KOREA ELECTRONICS & TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 OH, DAE-KON;PARK, JONG-DAE;KIM, HYUNG-MOON;JOO, HEUNG-RO;PARK, HYUNG-MOO
分类号 (IPC1-7):H01S3/18 主分类号 (IPC1-7):H01S3/18
代理机构 代理人
主权项
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