| 发明名称 |
INTEGRATED CIRCUIT WITH AT LEAST TWO DIFFERENTLY DOPED ZONES, ELECTRICALLY CONNECTED TO EACH OTHER, AND METHOD FOR PRODUCING SAID CIRCUIT |
| 摘要 |
Die zwei Gebiete (Ga1, Ga2) werden mit niederohmigen Strukturen (St1, St2) aus z.B. Silizid versehen, die nach Fertigstellung eines Zwischenoxids, das die Gebiete bedeckt, über einen Metallkontakt (K) verbunden werden. Da nach der Erzeugung des Metallkontakts (K) keine Prozessschritte mit hohen Temperaturen erfolgen, findet keine Diffusion von Dotierstoffen zwischen den zwei Gebieten (Ga1, Ga2) über die niederohmigen Strukturen (St1, St2) statt. |
| 申请公布号 |
WO9908319(A1) |
申请公布日期 |
1999.02.18 |
| 申请号 |
WO1998DE02168 |
申请日期 |
1998.07.29 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;SCHUMANN, DIRK;SCHWALKE, UDO;BERTHOLD, ADRIAN |
发明人 |
SCHUMANN, DIRK;SCHWALKE, UDO;BERTHOLD, ADRIAN |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/8234;H01L27/088;(IPC1-7):H01L21/768;H01L23/532;H01L21/823;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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